




对于硅和二氧化硅体系,采用cf4-o2反应离子刻蚀时,通过调节两种气体的比例,可以获得45:1的选择性,这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。产品经除尘,碱洗除去hf、cof2、sif4、co2等杂质、再经脱水可获得含量约为85%的粗品。将粗品引入低温精馏釜中进行间歇粗馏,通过控制精馏温度,除去o2、n2、h2,得到高纯cf4。因为四---碳和四---1硅都是共价化合物,四---碳生产,然而碳氟键的键能远远大于硅氟键的键能,键长也是前者短得多,所以四---碳的热稳定性---。
四---碳亦称全---碳、四氟甲1烷、全---碳,为非腐蚀性气体,所有通用材料如钢、不锈钢、铜、青铜,铝等金属材料都可以使用。四---碳是一种造成温室效应的气体。它非常稳定,高浓度四---碳,可以长时间停留在---层中,是一种非常---的温室气体。四---碳一般认为是惰性低毒物质,在高浓度下是窒息剂,其毒性不及四氯1化碳。---1碳与---1氢的反应在填有氢氧化铬的高温镍管中进行。
它在---中的寿命约为50,000年,增温(暖化)系数是6,四---碳,500(---的系数是1)。虽然结构与氟氯烃相似,但四---碳不会破坏臭氧层。四---碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体,四---碳公司,其高纯气及四---碳高纯气配高纯氧气的混合体,可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉,置于镍盘中,使硅和碳化硅充分接触后,将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中,向反应管内通入氟气,氟气先和单质硅反应。
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