四---碳厂-南宁四---碳-安徽谱纯

对于硅和二氧化硅体系，采用cf4-o2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，四---碳厂，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四---碳的热稳定性---。化合物的热稳定性主要与化学键的键能及键长有关。零下198 °c时，四---碳具有单斜的结构，晶格常数为a = 8.597， b= 4.433， c = 8.381 (.10-1 nm)， β = 118.73° 。四---碳是可作为氟和自由基---碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四---碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。

---4碳与---1氢的反应在填有氢氧化铬的高温镍管中进行，反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体，再通过冷冻，用硅胶除去气体中的水分经精馏而得成品。对于硅和二氧化硅体系，采用cf4-h2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45:1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四---碳的热稳定性---。