




预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉,置于镍盘中,使硅和碳化硅充分接触后,将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中,向反应管内通入氟气,氟气先和单质硅反应。含镁大于2%的合金不能用。在高温,一些金属起加速cf4分解的催化作用。按其催化作用增长的次序由小到大地排列则如下:因科镍合金、奥氏体不锈钢、镍、钢、铝、铜、青铜、黄铜、银。反应放热后,氟开始和碳化硅进行反应,批发高纯四---碳,通入等体积的干燥氮气以稀释氟气,使反应继续进行,生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝,然后慢慢地气化。
按其催化作用增长的次序由小到大地排列则如下:因科镍合金、奥氏体不锈钢、镍、钢、铝、铜、青铜、黄铜、银。以活性炭与氟为原料经---反应制备。在装有活性炭的反应炉中,缓缓通入高浓氟气,济宁四---碳,并通过加热器加热、供氟速率和反应炉冷却控制反应温度。四---碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体,四---碳供应,其高纯气及四---碳高纯气配高纯氧气的混合体,可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。
四---碳也一样,比如我们公司生产的钢瓶装四---碳在14mpa的气压下也是液态的,在正常---压下就是气态的,四---碳是有一定毒性的应该不能用作呼吸。四---碳在不同的---压下呈现的状态是不同的,高纯四---碳供应商,就像氧气在101kpa时会呈现出液态。四---碳是无色、无臭、不燃的可压缩性气体,发挥性较高.四---碳是可作为氟和自由基---碳的来源,用于各种晶片蚀刻工艺。四---碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。
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